Estas memorias son similares a las PROM pero con la diferencia que se pueden borrar y volver a grabar varias veces. Existen dos tipos de memorias según el proceso de borrado de las mismas:

Memoria EPROM.- Se trata de una PROM, de la que se puede borrar (erasable PROM) la información mediante rayos ultravioleta. Para esta operación, es necesario que el circuito integrado disponga de una ventana de cuarzo transparente a los rayos ultravioleta. El tiempo de exposición a los rayos ha de ser corto, pero variable según el constructor. Una vez borrados los datos de la EPROM, se necesita disponer de un grabador especial para introducir nuevos datos.

Memoria RPROM .- Los datos contenidos en este circuito integrado se borran eléctricamente si se aplican a las entradas unos valores de tensión oportunos. Para el borrado de los C.I RPROM, como para la programación, se necesita un programador especial. Las memorias RPROM utilizan transistores tipos MNOS (metal nitruro óxido silico) cuya principal características consiste en que pueden borrarse y grabarse eléctricamente.

MEMORIAS DE ACCESO SECUENCIAL

Se caracterizan por su tiempo de acceso, dependiendo de la posición a que se quiera acceder respecto a un punto de referencia inicial: Registro de desplazamiento Dispositivos acopladores por carga o CCD (Charge Soupled Device)

MEMORIAS DE BURBUJAS MAGNETICAS

Dentro de un campo de material magnético las burbujas son pequeños dominios estables, con una polaridad inversa a la de un campo.

Estas memorias no son volátiles y su acceso es secuencial. Constituyen un puente de unión entre las memorias centrales de acceso aleatorio (RAM o ROM) y los dispositivos de almacenamiento (disketes, discos duros, cintas magnéticas, CD-ROM, etc.) Como principal características, podemos señalar su gran densidad de integración (10 bits por pulgada cuadrada). No obstante el tiempo de acceso, al ser una memoria secuencial es relativamente alto comparado con las memorias de tipo de acceso directo.

Imprimir